計算物理においては、物質の性質をフィッティングパラメータ無しで精密に計算可能な第一原理計算法がパワフルで魅力的である。 高度で複雑で困難になりつつある電子材料制御の設計指針を得ることを目的として、近年身近になってきた第一原理計算法を
多様な電子デバイスの性能向上，集積化と実用化に向けて，その鍵を握るのが界面テクノロジーで す。異種材料界面の科学的な理解と制御がデバイス研究開発に不可欠となっています。本研究会は産･官･学の第一線の研究者がデバイス 半導体の基礎知識と、その発展・応用の一端を紹介し、私たちの目の前に広がる半導体の可能性を追求します。 20世紀のエレクトロニクス社会の進展を支え、現在、IT社会を構築するキーテクノロジーとなっている半導体。 いまや、暮らしを支える身近な存在でありながら、一方では多くの人に 電子・電気材料工学 物性Ⅰ 柴田 幹 技術サポート Technical Staff Miki Shibata 半導体デバイス2 講義ノート 「半導体デバイス2」講義で使用するパワーポイント資料が閲覧できるよう、リンクサイトを作成しました。授業終了後に公開して 学校 福井工業高等専門学校 開講年度 令和02年度 (2020年度) 授業科目 電子材料・デバイス 科目番号 0139 科目区分 専門 / 必修 授業形態 講義 単位の種別と単位数 履修単位: 2 開設学科 電子情報工学科 対象学年 4 開設期 通年 週時間 64 東芝レビューVol.62 No.3（2007） 電子デバイス・材料 ディスプレイ・部品材料統括 7 電子デバイス・材料 Electronic Components and Materials 東芝は，情報，医療，エネルギーなど幅広い分野に付加価値の高い電子デバイスや材料を 候補材料となり、また電子デバイスでは高電圧下での動作に適合している。SiCを始め、ワイド バンドギャップを持つ材料は他にもあるが、GaN系の材料には以下に挙げる応用上の特徴がある。 (1) 発光デバイス材料としての魅力
2012年1月・SEIテクニカルレビュー・第180号 −（）21 − 述する電界効果や、電子、正孔の波動性に起因するトンネル 効果※5などを応用して様々なデバイスが開発されている。 量子井戸構造が創出する多様性の一端を、光デバイスが カバーする波長領域の視点から表1にまとめた。 「高効率電子デバイス材料研究コンソーシアム」 趣意書 2013 年3 月4 日 独立行政法人物質材料研究機構 先端的共通技術部門 理論計算科学ユニット ユニット長 大野 隆央 1. コンソーシアムの目的 現在、集積回路素子の微細化は物理 結晶工学特論（第1部）で扱う内容 1. 化合物半導体とデバイス 2. エピタキシャル結晶と歪 • 格子不整合、格子歪、欠陥 • 混晶組成 • 成長モード（表面エネルギーと歪エネルギー） 3. 逆格子 • 逆格子の定義、回折条件（Ewald球） 「第1章 半導体の基礎」のPDFダウンロード シリコン以外にも、III族の元素とV族の元素、II族の元素とVI 族の元素を組み合わせた化合物半導体があります。例えばGaAsやInP、InGaAlP、などが、高周波デバイスや光半導体として従来 1 ナノ・量子効果デバイス 前澤宏一 この講義のねらい •本講義は、超高速・超高周波デバイスの 基盤となる化合物半導体・へテロ接合とそ れを用いたデバイスに関して学ぶ。•特に高電子移動度トランジスタ(HEMT)や ヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)などの
東北大学材料科学高等研究所（aimr）の幾原雄一教授らの研究グループは、原子分解能走査透過電子顕微鏡法（stem）と第一原理計算を用いて、二次元電気伝導性を示す材料の結晶構造と電子輸送特性の起源を明らかにした 1 。 本実施例では、上記手順によって、多種多様なcnt材料に対するかつてない精度での分析が可能になっている（図5）。ナノイメージングにおけるこのハイパースペクトルの原理は、励起光を波長可変する先端増強ラマン分光法（e-ters）を基礎としている [5] 。4 電子ビームの照射により試料から発生するカソードルミネッセンス(cl)を利用し，微小領域の物性評価が広く行われている。例えば、表面下にある構造の観察・評価、ワイドギャップ材料の評価、欠陥・不純物の評価など、その応用は多岐に渡っている。 田村伸行, et al. "強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測 (ナノ材料・プロセス, 機能ナノデバイス及び関連技術)." 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 109.422 (2010): 47-52, NAID 110008001138; 関連項目 EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版 2019年12月号。今号の電子版限定先行公開記事（EE Exclusive）は、半導体業界の2019年を振り返り、2020年を展望する「2019年は転換の年、2020年は“半導体不足”の時代に突入」。その他、AirPods Pro、Galaxy Fold、Pixel4など2019年下半期の話題製品の解剖記事などを収録して 国立研究開発法人 物質・材料研究機構 f マテリアルズ・ 1～12 インフォマティックス c センサ・ 1～3 アクチュエータ材料 d 電子磁気材料・ 1～6 デバイス材料 b 複合材料・ 1～2 特殊機能材料 j 二次電池材料 1～4 k 燃料電池材料 1～2 h 高温耐熱材料 1～2 e 計測 本書は、IoTやビッグデータ、機械学習といった大規模データ処理のニーズ増に伴って、その省電力性と高速な処理速度から注目を集めているFPGAの基盤技術を解説するものです。 近年、半導体技術の進歩に伴って、やや中途半端であったFPGAの性能が著しく向上した一方で、CPUの処理能力の頭打ち
原子層物質. 原子層物質は原子1個もしくは数個分の厚みしかない層状の物質です(図1)。代表的な原子層物質であるグラフェンはc(炭素)原子が蜂の巣のような六角形格子状に連なった構造からなり、厚さが原子1個分しかない究極的に薄い単原子層の物質です 。
2019/02/15 単電子デバイスによる論理回路 単電子,SET,ク ーロンブ ロッケード,MOS,LSI,集 積回路 高橋 庸夫 1.は じめ に 無線,有 線を問わず,最 近の情報通信技術の進展には目 覚ましいものがあり,あ らゆるところから世界に情報発信 が可能になって 先進ナノ電子材料 窒化ガリウム系およびガリウムヒソ系半導体をベースとして、ナノレベル制御による接合構造、ナノ結晶を高密度で周期的に配列させた構造等を形成する技術を確立し、半導体ナノ構造中の特性を理解・制御することにより、新しい光電子デバイス、先端環境デバイス さまざまな電子デバイスの動作原理を理解していない 評価項目3 光デバイス・磁気デバイス・ナノ材料の特徴を説明できる 光デバイス・磁気デバイス・ナノ材料の特徴を理解している 光デバイス・磁気デバイス・ナノ材料の特徴を概ね理解している 機による伝搬実験ならびに近接データダウンロード実験 によりその動作を確認した。さらに、より高周波側の 340GHz 帯について、デバイス、回路技術についても基本 検討を行った。 2．研究内容及び成果 2．1 超高周波帯送信技術 55 電子材料・デバイス技術の先端技術動向について、大 学研究機関と連携して調査研究活動を実施しています。本専門委員会では、最新情報を広く発信していくため 毎年報告会を開催し、先端技術の産業動向や技術開発 の現状・課題等 2018/01/01